Agencias/Ciudad de México.- Kioxia Corporation y SanDisk Corporation (Nasdaq: SNDK) presentaron hoy su tecnología de memoria flash 3D de celda de cuádruple nivel (QLC) de próxima generación, que ofrece un aumento de hasta el 60% en la densidad de bits en comparación con su 8.ª generación, superando los 37 Gb/mm² y estableciendo el punto de referencia de la industria1 en cuanto a densidad de bits, rendimiento y eficiencia energética.
Aprovechando la revolucionaria tecnología de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) directamente unida a la matriz (CBA)2 de las empresas, que fabrica la lógica CMOS y la matriz de memoria en obleas separadas antes de unirlas mediante una alineación de oblea a oblea de alta precisión, la nueva generación mejora el ancho de banda de lectura y escritura en comparación con la memoria flash 3D de 8.ª generación y se convierte en la primera tecnología de memoria flash 3D QLC de la industria en alcanzar una interfaz de 4,8 Gb/s3.
Otras mejoras incorporadas en la interfaz aumentan la eficiencia energética en la transferencia de datos de salida de E/S. Mediante estas importantes mejoras en la eficiencia energética se abordan de manera directa los desafíos de consumo de energía y enfriamiento que presentan las modernas infraestructuras de IA y en la nube.
Hideshi Miyajima, director de Tecnología de Kioxia, declaró: “A medida que la IA sigue impulsando el avance de la sociedad, sus aplicaciones ganan terreno desde la IA generativa hasta la IA basada en agentes y la IA física, mientras que el uso de los datos se vuelve cada vez más diverso y sofisticado. La tecnología QLC permite el almacenamiento eficiente de volúmenes de datos en rápida expansión, y esto contribuye a ofrecer un mayor rendimiento y escalabilidad para los sistemas de IA. Kioxia se ha comprometido a acelerar el desarrollo para la comercialización de sus productos de memoria flash de 10.ª generación que incorporan la tecnología QLC”.
Alper Ilkbahar, director de Tecnología de SanDisk, señaló: “A medida que el entrenamiento y la inferencia de la IA, así como las cargas de trabajo de los centros de datos a hiperescala, impulsan un crecimiento nunca visto en la generación de datos, la industria del almacenamiento se enfrenta a una presión cada vez mayor para ofrecer mayor capacidad, mayor rendimiento y una mejor eficiencia energética. Al redefinir los límites de rendimiento y eficiencia de la tecnología NAND QLC, nuestra memoria flash 3D QLC de 10.ª generación ofrece mejoras simultáneas en densidad, ancho de banda y eficiencia energética, y establece un nuevo paradigma para el almacenamiento flash de alta capacidad con el fin de proporcionar una base escalable para las aplicaciones de infraestructura de próxima generación”.
Entre los aspectos clave de la tecnología de memoria flash 3D QLC de 10.ª generación se incluyen:
- La arquitectura de 332 capas y el diseño optimizado del plano de disposición ofrecen un aumento de hasta el 60% en la densidad de bits, con lo que se alcanzan más de 37 Gb/mm² en comparación con la 8.ª generación.
- Interfaz NAND de 4,8 Gb/s3 habilitada por Toggle DDR6.0 y el protocolo de dirección de comando separada (Separate Command Address, SCA) para aprovechar todo el potencial de la interfaz rápida.
- La arquitectura CMOS directamente unida a la matriz (CBA) mejora el escalado de densidad, el rendimiento y la eficiencia de fabricación.
- La tecnología de interfaz Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) mejora la eficiencia energética en la transferencia de datos de salida de E/S.
- Al 4 de agosto de 2026, según una encuesta realizada por Kioxia y SanDisk.
- Tecnología en la que cada oblea CMOS y cada oblea de matriz de celdas se fabrican por separado en sus condiciones óptimas y luego se unen entre sí.
- 1 Gb/s se calcula como 1 000 000 000 de bits por segundo. Este valor se obtiene en nuestro entorno de prueba específico y puede variar según las condiciones de uso.
