Agencias / InsurgentePress, Ciudad de México.- Mediante una nueva técnica, un grupo de investigadores fabricó un transistor 3D, el más pequeño hasta el momento, de menos de la mitad del ancho de los modelos comerciales, lo cual beneficiaría el rendimiento de dichos dispositivos electrónicos.
El nuevo proceso, elaborado por científicos del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT, por sus siglas en inglés) y de la Universidad de Colorado, modifica el material semiconductor átomo a átomo, para meter más transistores en un solo chip de computadora.
Para el desarrollo de los nuevos transistores, los investigadores modificaron la técnica de grabado químico, llamada grabado térmico a nivel atómico (ALE térmico), lo que permite la modificación de precisión de los materiales semiconductores en el nivel atómico.
A través de este sistema, los científicos lograron fabricar transistores 3D tan estrechos como 2.5 nanómetros, y más eficientes que sus contrapartes comerciales.
“Creemos que este trabajo tendrá un gran impacto en el mundo real. Para diseñar transistores más pequeños, necesitamos poder manipular los materiales con una precisión de nivel atómico”, indicó Wenjie Lu, uno de los autores del artículo.
Como resultado, la mayoría de los transistores fabricados por los científicos midieron menos de cinco nanómetros de ancho y 220 nanómetros de altura.
La técnica limita la exposición del material a los defectos causados por el oxígeno, lo cual hacen que los transistores sean menos eficientes.
El dispositivo funcionó 60 por ciento mejor que los tradicionales en “transconductancia”, informaron los investigadores.
